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【内存知识】FRAM概述和特点

来自(http://www.dramx.com/) 2014-10-20  微信号: dramexchange

FRAM(Ferromagnetic Random Access Memory),铁电随机存取存储器。FRAM由麻省理工学院首次提出,利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储,使其铁电存储产品同时拥有随机存储器和非易失性存储器的特性。FRAM存储器的优点是可在失去电力的情况下,资料毫不受损,且写入速度极快,重复写入的次数高,几乎是无限次数,可大量取代EEPROM应用;其缺点为FRAM存储器的价格仍是大幅高于EEPROM约2~3倍之多。

FRAM存储器与电阻式随机存取存储器(RRAM)、磁电随机存取存储器(MRAM)等并列为新式存储器的一种,目前FRAM存储器供应商包括富士通半导体(Fujitsu Semiconductor)、Cypress、德州仪器(TI)等。

此市场领域属于高端市场,应用领域特殊如智能电表、交通储值卡、医疗健康系统如监照仪、内视镜、呼吸辅助、血氧测定、携带式胰岛素注射器等,以及车用市场如胎压侦测器等,或是KIOSK、博奕机等,由于FRAM低功耗特性,未来适合在物联网市场发挥。

FRAM存储器特点
● 采用2048×8位存储结构;
● 读写次数高达1百亿次;
● 在温度为55℃时,10年数据保存能力;
● 无延时写入数据;
● 先进的高可靠性铁电存储方式;
● 连接方式为高速串行接口(SPI)总线方式,且具有SPI方式0和3两种方式;
● 总线频率高达5MHz;
● 硬件上可直接取代E;
● 具有先进的写保护设计,包括硬件保护和软件保护双重保护功能;
● 低功耗,待机电流仅为10μA;
● 采用单电源+5V供电;
● 工业温度范围:-40℃至+85℃;
● 采用8脚SOP或DIP封装形式;

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