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【专题报导】 【一周热点】中国半导体新厂明年下半年陆续投片;三星NAND存储器新厂上半年投产

来自(http://www.dramx.com/) 2017-03-24  微信号: dramexchange

中国半导体新厂明年下半年陆续投片

日前,国家集成电路产业投资基金总经理丁文武指出,2016年中国集成电路进口金额为2270.7亿美元,同比下降1.2%,出口金额为613.8亿美元,同比下降11.1%,逆差达到1656.9亿美元。

作为全球集成电路产品消耗最大的国家,中国一直面临着“缺芯”的困扰,自主研发成为了中国发展集成电路产业的首要任务。

为解决这一问题,近年来,中国半导体厂商希望通过海外并购投资和建厂等方式,缩短与国际厂商的差距,但随着以紫光集团为主的海外并购案屡屡受阻,加速自主研发,扩充产能就成了中国集成电路产业发展的重要途径。

在国家大基金和地方政府产业投资基金等政策的引导和支持下,中国陆续开建了多个集成电路产业项目。据不完全统计,包括现有产线扩产项目在内,目前中国已开增15条产线,且大部分都计划在2018年下半年陆续投产。

另外,据拓墣产业研究院最新研究显示,当前中国正在建造和规划的12寸晶圆厂达11座,未来新增加的12寸晶圆月产能将超过90万片,其中长江存储、福建晋华、合肥长鑫及南京紫光等厂商都将目标锁定在DRAM和3D NAND Flash存储器领域。

厦门联芯28纳米Q2量产

3月21日,晶圆代工厂联电发布公告称,其28纳米工艺授予转投资厦门子公司联芯集成电路制造有限公司(以下简称“联芯”)已经获得台湾地区经济部投审会核准,授权金额为2亿美元,预计2017年第二季度即可实现量产,未来将供应大陆智能手机市场。

资料显示,厦门联芯厂于2015年3月动工,仅20个月即开始量产客户产品(2016年11月),初期以40纳米工艺为主,目前产品良率已经高达99%。此次获得联电28纳米技术授权,不仅可以提升技术层次,同时还可以加快抢攻手机芯片代工市场业务。

据悉,目前联芯的产能为1.1万片/月,28纳米量产之后,预计最快将在年底扩充至1.6万片/月的规模,届时,联芯将有机会拿下更多半导体业务订单。

根据资料显示,联芯是大陆华南地区第一座12寸晶圆厂,项目总投资62亿美元。此外,联电在今年20亿美元的资本支出中,将有一半会用于联芯的产能扩充上,规划最大产能为5万片/月12寸晶圆。

蔡力行重磅加盟联发科

3月22日,台湾地区IC设计厂商联发科宣布,自2017年 7月1日起,前中华电信董事长蔡力行将加盟,担任联发科共同执行长和集团副总裁职位,未来工作直接对董事长暨执行长蔡明介负责。同时,联发科董事会还通过并提名了蔡力行任公司董事。

联发科之所以招募蔡力行,主要是看中其在半导体、通讯领域的专才以及国际化的专业管理经验与能力,可以帮助公司进一步拓展与客户及产业链的伙伴关系,与现有经营团队一同开创新局。

资料显示,在卸任中华电信董事长之前,蔡力行就职于台积电,并担任公司总经理暨总执行长一职,对半导体晶圆代工等方面的布局和执行细节都非常熟悉。此次加盟联发科,将巩固双方在半导体业务方面的合作,帮助联发科进一步拓展半导体市场。

蔡力行入职后,将与蔡明介共同规划联发科中长期战略蓝图,持续提升公司的国际化经营能力,使联发科成为卓越的世界级公司。同时,公司未来还将持续发力无线通讯、数字多媒体IC设计、电源管理产品、物联网及车用电子产业等领域。

高通携日月光在巴西建封测厂

近日,封测厂日月光证实,将与手机芯片大厂高通在巴西圣保罗州(Sao Paulo)建设半导体封测厂,初期拟共同合资2亿美元,但目前尚处在讨论阶段,具体计划还未出炉。

日月光发布声明称,已经与高通和巴西政府签署了不具法律约束力的备忘录(Memorandum Of Understanding,“MOU”),达成最后共识并签署正式合约后,将依法办理相关公告。

相关人士指出,日月光及高通合资的巴西厂,未来将主攻高端手机芯片封测、物联网的系统级封装(SiP)等领域,若一切进行顺利,预估2018年就可开始营运。

在业内人士看来,双方之所以选择在巴西设厂,主要是基于以下两点考虑:

一、巴西人口超过2亿,是全球人口数排名第五,南美洲人口数排名第一的国家,对智能手机和物联网的需求非常强劲;

二、当前4G智能手机市场增长迅速,巴西政府提出了许多补助及租税上的优惠政策吸引国际大厂前往设厂。

基于此,在市场和政策的双重“诱惑”下,日月光和高通选择巴西也就不难理解。

三星NAND存储器新厂上半年投产

2015年,三星宣布将投资15.6万亿韩元(约144亿美元)在韩国建造一座新的半导体工厂。如今两年过去,目前,该厂正在顺利施工,第一阶段施工已经完成90%。

据悉,这座位于首尔南部的新芯片工厂,是三星史上对单一工厂进行的最大一笔投资,将在今年上半年如期投产。

此前,韩国媒体曾报道,三星新芯片厂将会用于生产DRAM内存芯片,不过最新消息是,该工厂将主要用于生产高容量3D NAND Flash。

事实上,三星在NAND Flash市场一直稳坐全球冠军宝座,据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)研究显示,受惠于供给吃紧,2016年第四季度,三星NAND Flash位元出货量季成长11~15%,平均销售单价(ASP)成长逾5%,营收达到44.74亿美元,季增涨近20%,市占率也提升至37.1%。

三星NAND存储器新厂的投产,不仅可以缓解目前NAND Flash供给持续吃紧的情况,同时也可以进一步巩固其在NAND Flash领域的龙头地位。

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